氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統中原料易揮發，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質，例如水分和氧氣。重復該過程直到達到晶體爐中的真空狀態，并且將溫度升高至氟化鎂燒結材料的熔化。氟化鎂晶體材料的應用分析在氟化鎂晶體的生長過程中添加一定量的除氧劑，以防止氧氣或羥基進入晶體。將加工后的晶體材料填充到石墨中。在迄今為止已知的材料中，氟化鎂晶體是在真空紫外線帶中具有最佳透光性能的材料之一。氟化鎂晶體的范圍從真空紫外線到紅色。單晶原子以均勻有序的長距離有序排列，表現出優選的取向。因為沒有晶界，相鄰的顆粒(或氟化物)。從國內外市場和生產過程來看，最有競爭力的市場是干燥的氟化鋁生產過程及其產品。

　　在迄今為止已知的材料中，氟化鎂晶體是在真空紫外線帶中具有最佳透光性能的材料之一。氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術，高精度成像技術，紅外制導技術和半導體光刻技術的飛速發展，市場對氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預見的時間內對高質量單晶的需求。供不應求的狀態。

　　與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區域具有更高的透射率。 另外，單晶材料在物理性能上優于多晶材料，具有高機械強度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開裂的優點。

　　氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應以產生氧化鎂雜質。氧化鎂的熔點高，不易揮發。殘留在生長系統中的氧化鎂將減少晶體過濾，并導致缺陷，例如晶體內部的散射顆粒。因此，在整個晶體生長過程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入一定質量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結晶爐中的水分，還可以對原料進行進一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料。

　　氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統中原料易揮發，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質，例如水分和氧氣。重復該過程直到達到晶體爐中的真空狀態，并且將溫度升高至氟化鎂燒結材料的熔化。