無水氟化鋁生產(chǎn)過程中使用的氟化氫是經(jīng)過冷凝精餾的高純產(chǎn)品，利用該項技術(shù)生產(chǎn)的無水氟化鋁產(chǎn)品主含量高、容重大、水分及雜質(zhì)含量極低。

氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。氟化鎂晶體材料的應(yīng)用分析在氟化鎂晶體的生長過程中添加一定量的除氧劑，以防止氧氣或羥基進入晶體。

含氟煙氣凈化回收制氟化鋁、氟化鎂晶體在生長過程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨. 迄今為止所知材料中，氟化鎂晶體是真空紫外波段透光性能最好的材料之一。氟化鎂晶體從真空紫外到紅. 單晶體原子按統(tǒng)一的方式長程有序地排列著，顯示出擇優(yōu)取向性;由于不存在晶界，鄰近粒子間(或氟化. 從國內(nèi)外市場及生產(chǎn)工藝情況來看，最具市場競爭能力的當(dāng)屬干法氟化鋁生產(chǎn)工藝及其產(chǎn)品。

氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。氟化鎂晶體材料的應(yīng)用分析在氟化鎂晶體的生長過程中添加一定量的除氧劑，以防止氧氣或羥基進入晶體。